光刻胶的选择对光刻工艺的精度没有影响。

湿法清洗是晶圆制备与加工中唯一有效的清洗方法。

干法刻蚀比湿法刻蚀更容易控制和获得垂直的侧壁。

封装工艺的主要目的是保护集成电路免受物理损伤和环境影响。

薄膜生长工艺中的化学气相沉积（CVD）可以在较低温度下进行。

离子注入工艺可以精确控制半导体材料的掺杂浓度和深度。

刻蚀工艺仅使用化学反应来移除晶圆表面的材料。

光刻机的分辨率越高，可以生产的集成电路特征尺寸就越小。

加热工艺中的快速热处理（RTP）可以减少热应力对晶圆的影响。

晶圆制备与加工的第一步是将硅锭切成薄片。