集成电路产业的发展趋势之一是追求更高的集成度和更低的成本。
光刻胶的选择对光刻工艺的精度没有影响。
在加热工艺中，所有的晶圆都需要经历相同的温度和时间。
离子注入工艺不会改变半导体材料的晶体结构。
薄膜生长设备只能用于生长金属薄膜。
封装工艺中，倒装芯片技术可以减少封装体积和提高热性能。
在集成电路制造中，所有的光刻步骤都使用相同的光刻胶。
刻蚀工艺中的干法刻蚀不会产生任何副产品或废物。
离子注入工艺只能用于掺杂p型半导体
薄膜生长工艺中的物理气相沉积（PVD）不涉及化学反应。